파워 인테그레이션스, 차세대 고전압 시스템 위한 2200V GaN 기술 최초 공개

노형석 기자

작성일 2026-08-08 08:22

고전압 통합 회로 분야의 선두 주자인 파워 인테그레이션스(Power Integrations)가 업계 최초로 2200V 정격의 PowiGaN™ 질화갈륨(GaN) 기술을 발표했다. 이는 현재 상용화된 다른 GaN 기술의 전압 성능을 훨씬 뛰어넘는 수준이다.

이번 기술 혁신은 AI 데이터 센터, 전기차, 태양광 발전 및 고전압직류송전(HVDC) 인프라 등 차세대 고전압 시스템에서 요구하는 높은 전력 밀도, 효율성, 그리고 안전하고 간소화된 시스템 아키텍처 구현을 가능하게 할 것으로 기대된다.

파워 인테그레이션스의 제니퍼 로이드(Jennifer Lloyd) 사장 겸 CEO는 "우리의 2200V PowiGaN 기술은 차세대 AI 데이터 센터와 같이 1500V 분배 아키텍처를 지향하는 시스템뿐만 아니라, 48V 이상의 높은 출력 전압에서 작동하는 미래의 전기차 배터리 및 보조 전력 시스템에 상당한 전압 마진을 제공한다"고 밝혔다. 또한 "이 획기적인 기술은 기존에 탄화규소(SiC)가 주로 사용되던 전압 영역까지 GaN의 적용 범위를 확장하여, 태양광, HVDC 및 첨단 산업 전력 변환과 같은 애플리케이션에 매력적인 고주파 대안을 제시한다"고 덧붙였다.

GaN 전력 스위치는 높은 효율성과 스위칭 주파수로 인해 다양한 전력 변환 애플리케이션에서 기존의 실리콘 트랜지스터를 점차 대체하고 있다. 하지만 데이터 센터, 전기차, 신재생 에너지 및 HVDC 인프라의 로드맵은 더 높은 전압과 전력 밀도를 요구하고 있으며, 이에 맞춰 GaN 기술 역시 발전해야 하는 과제를 안고 있다. 기존의 대안으로는 낮은 주파수의 탄화규소(SiC)를 사용하거나, 전력 밀도, 복잡성 및 신뢰성 측면에서 절충이 필요한 저전압 GaN 소자를 여러 개 쌓는 방식 등이 있었다.

현재 1700V 정격의 PowiGaN IC는 이미 단일 단 데이터 센터 보조 전력 애플리케이션에 적용되고 있으며, 1250V PowiGaN은 800VDC 데이터 센터의 메인 전력 경로에서 스택형 솔루션보다 간소화된 대안을 제공한다. 이번 2200V PowiGaN 기술의 등장은 데이터 센터뿐만 아니라 전기차, 태양광 인버터 및 에너지 저장 시스템(ESS) 등에서도 미래 지향적인 전력 설계를 지원할 수 있게 한다.

로이 다거(Roy Dagher) 박사는 "AI 데이터 센터에서 800VDC 버스 아키텍처로의 전환은 전력 반도체 시장을 재편하고 있다"고 설명했다.